2018优秀MCU制造工艺平台,本论文主要论述了制造工艺论文范文相关的参考文献,对您的论文写作有参考作用。
制造工艺论文参考文献：
0.11微米超低功耗双栅型嵌入式闪存技术工艺平台可在同一工艺中集成射频、eFlash和EEPROM,24层光罩即可生成高性能、低功耗的0.11微米SoC芯片,具备更小的面积、更低的功耗和更强的可靠性等显著优势,并降低设计、制造和测试成本.该技术平台成功集成了超低功耗的数模混合技术、嵌入式存储技术及低成本的CMOS射频技术.该工艺平台拥有丰富多样的嵌入式存储器IP,同時也提供高密度存储器编辑器和标准单元库,可为客户度身订制性价比优越、全面灵活的解决方案,加速客户产品上市时间.
目前,该平台已经有多家客户采用,成功量产了多种MCU产品.华虹宏力0.11微米超低功耗双栅型嵌入式闪存技术平台的销售收入2016年增长超过了40%.基于该工艺平台生产的低功耗MCU主要适用于各种智能节能型产品,例如物联网、可穿戴式设备、智能电网、嵌入式智能互联设备、医疗电子、照明,以及工业和汽车电子等.
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